|
1
|
МІКРОСХЕМА ІНТЕГРОВАНА АНАЛОГОВИЙ ПІДСИЛЮВАЧ AD627AR 212 штук AD627AR є монолітний мікросиловий вим ірювальний підсилювач котрий надає Rail to Rail вихідне коливання на одне та дв а джерела живлення працюють від силових акумуляторів Технічні характеристики: Струм 85 мкА Постійна напруга від 2 2 до 18 В Виготовлений в корпусі SOP з кількістю виводів 8 Використовуються в приладах електроживил ьних установок не для військового призн ачення Не містять приймачів чи передава чів Пам ять відсутня Торгівельна марка: AD Виробник: Analog Devices China Co Ltd Китай CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
2
|
Електронна інтегрована мікросхема Нано ЦАП цифро аналоговий перетворювач з вихідним буферним підсилювачем на кристалі: AD5621BKSZ 70 штук Виконаний в 6 виводному SC70 корпусі Напруга 2 7 5 5В Струм до 100 мкА Дана мікросхема є 12 бітною Діапазон робочих температур 40 125С Використовується при виробництві блоків безперебійного живлення Не для військов ого призначення Не використовується у в ибухонебезпечному середовищі Не містить приймачівчи передавачів Пам ять відсутня Торгівельна марка: AD Виробник: Analog Devices China Co Ltd Китай CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
3
|
Електронна інтегрована схема запам ятовувальний пристрій магнітна оперативна послідовна пам ять FM25V05 G 72 штуки Принцип роботи магнітної оперативної пам яті F RAM є енергозалежним і здійс нює функцію зчитування та передачі інфор мації так само як і RAM оперативна пам я ть Технічні характеристики: Тип корпуса: SOIC Кількість виводів 8 Місткість пам яті: 512 кб Температурний режим: 40 85 С Частота: до 40 МГц Робоча напруга: 3 В Струм 100 мкА Використовується при виробництві блоків безперебійного живлення мотнується у мо дулі відповідаючому за контроль роботи б лока зберігаючи дані електричних показн иків не для військового призначення Не містить приймачів чи передавачів Торгівельна марка: Ramtron Виробник: Ramtron International Co CN К итай
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
4
|
Мікросхема резистивний контроллер резонансного режиму: MC33067DW 500 штук Максимальні технічні хар ки: Напруга 20 В струм 0 3 А Потужність 1 25 Вт Частота до 4 МГц Температурний режим від 55 до 150С Виконаний в корпусі SOP16 Використовується для контролю резонанс ного режиму при ввімкненні нульової напр уги для автоматичного конвертора постій ного струму Ліквідовуває модульовану константу частоти часу вимкнення Не вій ськового призначення без приймально пер едавальних пристроїв Торгова марка: ON Semiconductor Виробник: ON Semiconductor Design Shanghai Limited CN Китай
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
5
|
Мікросхема аналогова монолітна SMPS контролер автономного режиму струму з інтегрованим транзистором: ICE2A280Z 500 штук Виготовлена в корпусі DIP8 що має 8 кон тактних виводів Технічні характеристики: напруга до 270 В частота генерації100 кГц потужність до 50 Вт Температурний режим роботи від 0 до 125С Використовуються в приладах електроживил ьних установок Не військового призначен ня Не містить приймачів чи передавачів Пам ять відсутня Торгівельна марка: Infineon Виробник: Infineon Technologies China Co Ltd CN Китай
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
6
|
Мікросхема контроллер Коректор коефіцієнту потужності з регулятором попередньої дії L4981AD 100 штук Максимальні технічні хар ки: Напруга до 9 В струм 15 мА Потужність 1 Вт Частота до 120 кГц Температурний режим від 40 до 125С Виконаний в корпусі SO20 Використовується для контролю функцій при створенні режиму роботи джерел живле ння з синусоїдною лінією використання ст руму Не військового призначення без пе редавально приймального пистрою не вико ристовується у вибухонебезпечному середо вищі Торгівельна марка: ST Виробник: STMicroelectronics Beijing R D Inc Китай CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
7
|
Частини до трансформаторів Планарні SMD 1806 Феритові осердя: BLM41PG471SN1 520 штук опір 470 Ом Робочий струм 2000 mA Феритові осердя використовуються при виробництві трансформаторів в якості осердя для катушок ізольованого проводу Торгівельна марка: MURATA Виробник: Murata Manufacturing Co Ltd Китай CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
8
|
ДІОД ШВИДКІСНИЙ RS1G 455 штук Напруга 50 800В Струм 1 А Максимальна частота 1 МГц Корпус DO 2314AC у пластиковому корпус і з вогнетривкого пластику UL 94V 0 для поверхневого монтажу Торгова марка: VISHAY Виробник: Vishay General Semiconductor China Co Ltd Китай CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
9
|
Швидкий лавинний випрямляючий SMD Д іод: BYG26J 410 штук Виготовлений у DO 214AC SMA корпусі Максимальна напруга 600В струм 1 5А температурний режим: 65 до 150 С Використовується в швидких імпульсних джерелах живлення інверторах конвертор ах Не військового призначення Торгова марка : NXP Виробник: NXP Semiconductors Ltd Кита й CN
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
|
10
|
Транзистори потужністю розсіювання до 1 Вт ПНП PNP транзистор загального зас тосування: 2PB710AS 3000 шт Напруга 50 В Струм 500 mA Потужність 250 мВт Частота 140 МГц Виконаний в пластиковому корпусі SOT 346 Використовуються в приладах електрожи вильних установок Не військового призна чення Торгова марка : NXP Виробник: NXP Semiconductors Beijing Ltd CN Китай
|
ТОВ Завод Ремпобуттехніка м Тернопіль вул Текстильна 32
|
FTL Express Cheng Jiang Yang Flat E 2 2 F Dragon Industrial Bidg No 93 King Lam street Cheung Sha Wan Hong Kong
|
2018-06-01
|
НЕВІДОМА
|
